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NTA4153NT1G中文资料

NTA4153NT1G图片

NTA4153NT1G外观图

  • 大小:68.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:0.915A; On Resistance, Rds(on):230mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:0.76V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:915mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:230 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1.82nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:110pF @ 16V
  • 功率 - 最大:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装:SC-75,SOT-416
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTA4153NT1GOSTR

NTA4153NT1G供应商

更新时间:2023-01-08 21:27:25
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